BJT против FET
BJT (транзистор с биполярным переходом) и FET (транзистор с полевым эффектом) являются двумя типами транзисторов. Транзистор - это электронное полупроводниковое устройство, которое дает сильно изменяющийся электрический выходной сигнал при небольших изменениях малых входных сигналов. Благодаря этому качеству устройство можно использовать как в качестве усилителя, так и в качестве коммутатора. Транзистор был выпущен в 1950-х годах, и его можно считать одним из самых важных изобретений 20-го века, учитывая его вклад в развитие информационных технологий. Были протестированы различные типы архитектур для транзисторов.
Транзистор с биполярным переходом (BJT)
BJT состоит из двух PN-переходов (переход, образованный соединением полупроводника p-типа и полупроводника n-типа). Эти два соединения образованы соединением трех полупроводниковых элементов в порядке P-N-P или N-P-N. Доступны два типа BJT, известные как PNP и NPN.
К этим трем полупроводниковым частям подключены три электрода, а средний вывод называется «базой». Два других соединения - «эмиттер» и «коллектор».
В BJT ток большого коллектора-эмиттера (Ic) контролируется током малого базового эмиттера (IB), и это свойство используется для разработки усилителей или переключателей. Там его можно рассматривать как устройство, управляемое током. BJT в основном используется в схемах усилителей.
Полевой транзистор (FET)
FET состоит из трех выводов, известных как «Gate», «Source» и «Drain». Здесь ток стока регулируется напряжением затвора. Таким образом, полевые транзисторы являются устройствами, управляемыми напряжением.
В зависимости от типа полупроводника, используемого для истока и стока (в полевых транзисторах оба они сделаны из одного и того же типа полупроводника), полевой транзистор может быть N-канальным или P-канальным устройством. Поток тока от истока к стоку регулируется путем регулировки ширины канала путем подачи соответствующего напряжения на затвор. Есть также два способа управления шириной канала, известные как истощение и расширение. Поэтому полевые транзисторы доступны в четырех различных типах, таких как N-канальный или P-канальный, с режимом истощения или расширения.
Существует много типов полевых транзисторов, таких как MOSFET (полевой транзистор на основе оксида металла и полупроводника), HEMT (транзистор с высокой подвижностью электронов) и IGBT (биполярный транзистор с изолированным затвором). CNTFET (Carbon Nanotube FET), появившийся в результате развития нанотехнологий, является последним членом семейства FET.
Разница между BJT и FET
1. BJT в основном представляет собой устройство, управляемое током, хотя полевой транзистор считается устройством, управляемым напряжением.
2. Выводы BJT известны как эмиттер, коллектор и база, тогда как FET состоит из затвора, истока и стока.
3. В большинстве новых приложений используются полевые транзисторы, а не биполярные транзисторы.
4. BJT использует как электроны, так и дырки для проводимости, тогда как FET использует только один из них и поэтому называется униполярным транзистором.
5. FET более энергоэффективны, чем BJT.
