BJT против IGBT
BJT (биполярный транзистор) и IGBT (биполярный транзистор с изолированным затвором) - это два типа транзисторов, используемых для управления током. Оба устройства имеют PN-переходы и различаются по устройству. Хотя оба являются транзисторами, они имеют существенные различия в характеристиках.
BJT (транзистор с биполярным переходом)
BJT - это тип транзистора, состоящего из двух PN-переходов (переход, образованный соединением полупроводника p-типа и полупроводника n-типа). Эти два соединения образованы соединением трех полупроводниковых элементов в порядке P-N-P или N-P-N. Поэтому доступны два типа BJT, известные как PNP и NPN.
К этим трем полупроводниковым частям подключены три электрода, а средний вывод называется «базой». Два других соединения - «эмиттер» и «коллектор».
В BJT ток большого коллектора-эмиттера (Ic) контролируется током малого базового эмиттера (IB), и это свойство используется для разработки усилителей или переключателей. Следовательно, его можно рассматривать как устройство, управляемое током. BJT в основном используется в схемах усилителей.
IGBT (биполярный транзистор с изолированным затвором)
IGBT - это полупроводниковый прибор с тремя выводами, известными как «эмиттер», «коллектор» и «затвор». Это тип транзистора, который может работать с большей мощностью и имеет более высокую скорость переключения, что делает его высокоэффективным. IGBT были представлены на рынке в 1980-х годах.
IGBT сочетает в себе функции MOSFET и биполярного переходного транзистора (BJT). Он управляется затвором, как МОП-транзистор, и имеет вольт-амперные характеристики, как биполярные транзисторы. Поэтому он имеет преимущества как в способности обрабатывать большие токи, так и в простоте управления. Модули IGBT (состоит из нескольких устройств) имеют мощность в киловаттах.
Разница между BJT и IGBT
1. BJT - это устройство, управляемое током, тогда как IGBT управляется напряжением затвора
2. Выводы IGBT известны как эмиттер, коллектор и затвор, тогда как BJT состоит из эмиттера, коллектора и базы.
3. IGBT лучше управляют мощностью, чем BJT
4. IGBT можно рассматривать как комбинацию BJT и FET (полевой транзистор)
5. IGBT имеет сложную структуру устройства по сравнению с BJT
6. BJT имеет долгую историю по сравнению с IGBT
