IGBT против GTO
GTO (тиристор отключения затвора) и IGBT (биполярный транзистор с изолированным затвором) представляют собой два типа полупроводниковых устройств с тремя выводами. Оба они используются для управления токами и для целей переключения. Оба устройства имеют управляющий терминал под названием «гейт», но принцип работы у них разный.
GTO (тиристор отключения затвора)
GTO состоит из четырех полупроводниковых слоев P-типа и N-типа, и структура устройства немного отличается от обычного тиристора. При анализе GTO также рассматривается как пара связанных транзисторов (один PNP, а другой в конфигурации NPN), как и обычные тиристоры. Три вывода GTO называются «анод», «катод» и «затвор».
Во время работы тиристор проводит ток, когда на затвор подается импульс. Он имеет три режима работы, известные как «режим обратной блокировки», «режим прямой блокировки» и «режим прямой проводки». Как только затвор срабатывает импульсом, тиристор переходит в «режим прямой проводимости» и продолжает проводить до тех пор, пока прямой ток не станет меньше порогового значения «тока удержания».
В дополнение к характеристикам обычных тиристоров, «выключенное» состояние GTO также можно контролировать с помощью отрицательных импульсов. В обычных тиристорах функция отключения происходит автоматически.
GTO - это силовые устройства, которые в основном используются в приложениях переменного тока.
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT)
IGBT - это полупроводниковый прибор с тремя выводами, известными как «эмиттер», «коллектор» и «затвор». Это тип транзистора, который может работать с большей мощностью и имеет более высокую скорость переключения, что делает его высокоэффективным. IGBT были представлены на рынке в 1980-х годах.
IGBT сочетает в себе функции MOSFET и биполярного переходного транзистора (BJT). Он управляется затвором, как МОП-транзистор, и имеет вольт-амперные характеристики, как биполярные транзисторы. Поэтому он имеет преимущества как в способности обрабатывать большие токи, так и в простоте управления. Модули IGBT (состоит из нескольких устройств) имеют мощность в киловаттах.
В чем разница между IGBT и GTO?
1. Три вывода IGBT известны как эмиттер, коллектор и затвор, тогда как у GTO есть выводы, известные как анод, катод и затвор.
2. Затвору GTO нужен только импульс для переключения, тогда как IGBT требуется непрерывная подача напряжения на затвор.
3. IGBT - это тип транзистора, а GTO - это тип тиристора, который при анализе можно рассматривать как тесно связанную пару транзисторов.
4. IGBT имеет только один PN переход, а GTO их три
5. Оба устройства используются в приложениях с высокой мощностью.
6. GTO нужны внешние устройства для управления импульсами выключения и включения, тогда как IGBT не нужны.
