PROM против EPROM
В электронике и вычислительной технике элементы памяти необходимы для хранения данных и последующего их извлечения. На самых ранних этапах в качестве памяти использовались магнитные ленты, а с полупроводниковой революцией элементы памяти также были разработаны на основе полупроводников. EPROM и EEPROM - это типы энергонезависимой полупроводниковой памяти.
Если элемент памяти не может сохранить данные после отключения от источника питания, он называется энергозависимым элементом памяти. PROM и EPROM были новаторскими технологиями в ячейках энергонезависимой памяти (т. Е. Они могут сохранять данные после отключения от питания), что привело к разработке современных твердотельных запоминающих устройств.
Что такое ПРОМ?
PROM расшифровывается как Programmable Read Only Memory, тип энергонезависимой памяти, созданной Венг Цин Чоу в 1959 году по запросу ВВС США в качестве альтернативы памяти бортовых моделей межконтинентальных баллистических ракет Atlas E и F (бортовых).) цифровой компьютер. Они также известны как одноразовая программируемая энергонезависимая память (OTP NVM) и программируемая пользователем память только для чтения (FPROM). В настоящее время они широко используются в микроконтроллерах, мобильных телефонах, картах радиочастотной идентификации (RFID), мультимедийных интерфейсах высокой четкости (HDMI) и контроллерах видеоигр.
Данные, записанные в PROM, являются постоянными и не могут быть изменены; поэтому они обычно используются в качестве статической памяти, такой как прошивка устройств. Микросхемы BIOS ранних компьютеров также были микросхемами PROM. До программирования чип имеет только биты со значением один «1». В процессе программирования только необходимые биты преобразуются в нулевые «0» путем перегорания каждого фьюз-бита. Как только чип запрограммирован, процесс становится необратимым; следовательно, эти ценности неизменны и постоянны.
В зависимости от технологии производства данные могут быть запрограммированы на уровне пластины, окончательного теста или системной интеграции. Они программируются с помощью программатора PROM, который перегорает предохранители каждого бита, применяя относительно большое напряжение для программирования чипа (обычно 6 В для слоя толщиной 2 нм). Ячейки PROM отличаются от ROM; их можно запрограммировать даже после изготовления, тогда как ПЗУ можно запрограммировать только при производстве.
Что такое СППЗУ?
EPROM означает Erasable Programmable Read Only Memory, а также категорию устройств энергонезависимой памяти, которые можно программировать, а также стирать. EPROM был разработан Довом Фроманом из Intel в 1971 году на основе исследования неисправных интегральных схем, в которых были нарушены соединения затворов транзисторов.
Ячейка памяти EPROM представляет собой большой набор полевых транзисторов с плавающим затвором. Данные (каждый бит) записываются на отдельные полевые транзисторы внутри микросхемы с помощью программатора, который создает внутри контакты стока истока. Основываясь на адресе ячейки, конкретный полевой транзистор хранит данные, и в этой операции используются напряжения, намного превышающие рабочие напряжения обычных цифровых схем. Когда напряжение снимается, электроны захватываются электродами. Из-за очень низкой проводимости изоляционный слой из диоксида кремния (SiO2) между затворами сохраняет заряд в течение длительного времени, следовательно, сохраняет память от десяти до двадцати лет.
Чип СППЗУ стирается под воздействием сильного УФ-источника, такого как ртутная лампа. Стирание можно выполнить с помощью УФ-излучения с длиной волны короче 300 нм и экспозицией в течение 20-30 минут на близком расстоянии (<3 см). Для этого в корпус EPROM встроено окно из плавленого кварца, через которое кремниевый чип подвергается воздействию света. Таким образом, СППЗУ легко определить по этому характерному окну из плавленого кварца. Стереть можно и с помощью рентгеновских лучей.
СППЗУ в основном используются в качестве статической памяти в больших схемах. Они широко использовались в качестве микросхем BIOS в материнских платах компьютеров, но их вытесняют новые технологии, такие как EEPROM, которые дешевле, меньше и быстрее.
В чем разница между PROM и EPROM?
• PROM - более старая технология, в то время как PROM и EPROM являются устройствами энергонезависимой памяти.
• PROM можно запрограммировать только один раз, в то время как EPROM можно использовать повторно и можно запрограммировать несколько раз.
• Процесс программирования PROMS необратим; поэтому память постоянна. Память СППЗУ может быть стерта под воздействием УФ-излучения.
• Для этого в СППЗУ имеется окно из плавленого кварца. PROM упакованы в полную пластиковую упаковку; поэтому UV не влияет на PROM
• В PROM данные записываются/программируются на микросхему путем перегорания предохранителей в каждом бите с использованием гораздо более высоких напряжений, чем средние напряжения, используемые в цифровых схемах. СППЗУ также используют высокое напряжение, но недостаточное для постоянного изменения полупроводникового слоя.
